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高能量壓敏電阻_壓敏電阻_工藝先進 自有研發團隊

東莞市源林電子科技有限公司
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    壓敏電阻的特點是當加在它上面的電壓低于它的閥值'UN'時,流過它的電流極小,相當于一只關死的閥門,當電壓超過UN時,流過它的電流激增,相當于閥門打開。利用這一功能,可以抑制電路中經常出現的異常過電壓,保護電路免受過電壓的損害。例如:

    現在我們家用的彩電的電源電路中就使用了氧化鋅壓敏電阻,這里使用的壓敏電阻的閥值電壓約為270V,當電源電壓小于270V時(正常值為220V)它相當于不導通,而當電源異常,短時超過270V時,它就導通,將電壓限制在270V。

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    為了觀察燒結成品晶粒生長情況,氣孔率,致密性等,分析元素的摻雜等對成品性能的影響,對制得的ZnO陶瓷成品斷口進行觀測。樣品1與樣品2相比較小且大小不等、雜亂無章,即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒,其中以小尺寸晶粒居多;(2)晶粒形貌呈現多樣性生長趨勢。(3)ZnO主晶相之間存在較多存在孔洞、縫隙。由2中可以看出:(1)ZnO平均晶粒尺寸為10

    ~15um,且小尺寸晶粒數量大量減少,尺寸生長比較均勻;(2)晶粒形貌大多呈現正多邊形或圓形生長趨勢、晶粒生長堆積緊密;總之,摻雜TiO2的樣品與未摻雜TiO2的樣品相比從顯微結構上看晶粒形貌規整,結構均勻、致密,晶粒較大。樣品3.ZnO主晶相之問存在較多存在孔洞、縫隙;圖晶界出現了大量液相熔融,且晶界較寬,而且晶粒邊緣有尖晶石相存在使晶粒長大受限;相比較樣品2.晶粒尺寸又變的不均勻,出現極大和極小顆粒。總之,隨著TiO2的加入ZnO壓敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大,但加入量過多時,ZnO壓敏陶瓷的電性能開始惡化。TiO2的摻雜會使氧化鋅壓敏陶瓷的平均晶粒明顯增大,但摻雜量過多時會產生大量Zn2Ti04尖晶石相阻礙晶粒進一步長大。

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